传统打线键合工艺流程

    • 划片

    • 上片

    • 打线键合

  •  
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    • 成品测试、打标、编带

    • 切筋成型

    • 模塑

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    • 成品测试、打标、编带

Cu Clip Bond键合工艺流程

  • 磨划片
  • die Attach(sold paste)
  • Clip Bond(sold paste)
  • Reflow
  • 清洗
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  • 测试编带
  • 切筋
  • 塑封
  • 烘烤固化
  • Wire Bond
  • 磨划片
  • die Attach(sold paste)
  • Clip Bond(sold paste)
  • Reflow
  • 清洗
  • Wire Bond
  • 烘烤固化
  • 塑封
  • 切筋
  • 测试编带
与传统的键合封装方式相比,Cu Clip技术优点
与传统的键合封装方式相比,Cu Clip技术优点

1.芯片与管脚的连接采用铜片,一定程度上取代芯片和引脚间的标准引线键合方式,因而可以获得独特的封装电阻值、更高的电流量、更好的导热性能。

2.引线脚焊接处无需镀银,可以充分节省镀银及镀银不良产生的成本费用。

3.产品外形与正常产品完全保持一致。

传统打线键合工艺封装技术先进产品-TOLT封装

TOLT

TO-Leaded Top side cooling
Optimized for superior thermal performance
3D view w/o mould compoud
Bottom view w/o mould compoud
顶部散热,多条粗铝线,芯片优化设计

传统打线键合工艺封装技术先进产品-TOLL封装

TOLL

TO-Leadless
Optimized for high power applications

6*20mil粗铝线制程

HV/MV/LV/SiC/GaN MOS IGBT
优化的芯片设计
丰富的产品组合

传统打线键合工艺封装技术先进产品-TO263-7/TO263-7Pin+

TO263-7Pin+

HV/MV/LV/SiC/GaN MOS IGBT
MSL1

TO263-7Pin+

HV/MV/LV/SiC/GaN MOS IGBT
MSL1

5*20mil粗铝线制程

HV/MV/LV/SiC/GaN MOS IGBT
优化的芯片设计
丰富的产品组合

传统打线键合工艺封装技术先进产品-sTOLL-7mm*8mm

sTOLL-7*8mm²

MV/LV MOS
优化的芯片设计

Full Clip制程

MV/LV MOS
优化的芯片和Clip设计

传统打线键合工艺封装技术先进产品-LFPAK5mm*6mm

LFPAK-5*6mm²

MV/LV MOS
优化的芯片设计

Full Clip制程

MV/LV MOS
优化的芯片和Clip设计