产品谱系

●  30V-200V电压域车规级/工业级Trench及SGT工艺功率器件。封装形式：TO263-7、TOLL、PDFN3*3/5*6、LFPAK5*6/8*8；（已量产）

●  650V/800V电压域工业级多层外延工艺COOLMOS器件。封装形式：TO247-4；（工程批）

●  650V-1700V电压域工业级多层沟槽及平面工艺IGBT器件。封装形式：TO247-3、IPM模块；（研发中）

●  100V 200V 650V 800V 1200V电压域GAN HEMT器件。封装形式：QFP、WLCSP；（研发中）

●  650V、1200V、1700V电压域SIC MOSFET器件。封装形式：TO247-3；（研发中）

25V-600V电压域高/低侧单双通道、半桥、全桥、三相桥栅极驱动芯片。
封装形式：SOT23-5/6、SOP-8/16、DFN12；（研发中）