功率器件
● 30V-200V电压域车规级/工业级Trench及SGT工艺功率器件。封装形式：TO263-7、TOLL、PDFN3*3/5*6、LFPAK5*6/8*8；（已量产）
● 650V/800V电压域工业级多层外延工艺COOLMOS器件。封装形式：TO247-4；（工程批）
● 650V-1700V电压域工业级多层沟槽及平面工艺IGBT器件。封装形式：TO247-3、IPM模块；（研发中）
● 100V 200V 650V 800V 1200V电压域GAN HEMT器件。封装形式：QFP、WLCSP；（研发中）
● 650V、1200V、1700V电压域SIC MOSFET器件。封装形式：TO247-3；（研发中）
