碳化硅功率器件的应用机会及未来

时间:2023-05-29


 碳化硅材料优势

相对于第一代(硅基)半导体,第三代半导体禁带宽度大,电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍,具有更强的耐高压、高功率能力。

碳化硅更适合作为衬底材料。在高压和高可靠性领域选择碳化硅外延,在高频领域选择氮化镓外延。

碳化硅衬底器件体积小。由于碳化硅具有较高的禁带宽度,碳化硅功率器件可承受较高的电压和功率,其器件体积可变得更小,约为硅基器件的1/10。碳化硅器件电阻更小。同样由于碳化硅较高的禁带宽度,碳化硅器件可进行重掺杂,碳化硅器件的电阻将变得更低,约为硅基器件的1/100。

碳化硅衬底材料能量损失更小。在相同的电压和转换频率下,400V电压时,碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%-60%之间;800V时,碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%-50%之间。

 碳化硅器件特性

碳化硅器件在具体应用场景中表现出的特性是:1、耐高温:硅基材料120°C场景需要散热,使用SiC在175°C结温不需要散热,可承受600°C以上高温环境。2、高压大功率:二极管600-1700V,MOS管800-3300V,如新能源车直流快充仅15分钟可完成80%。3、高频率:能量损耗减少了四分之三,转化率高,如提升了新能源车5%-10%续航能力。4、小体积:因为阻抗小,同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一,模组尺寸更大幅缩小。未来在高压、高频、大功率、环境恶劣的场景下,碳化硅器件将逐渐替代硅基器件。

 如何突破功率半导体器件性能天花板?

为了突破功率半导体器件性能天花板,需要发力的几个点是:1.高耐压:在大功率应用中,耐压能力是一个重要的硬指标;2.高频率:更高的开关频率不仅能够提升功率器件自身的性能,还能够带来一个明显的优势,就是允许使用更小的外围元件,进而减小系统整体的尺寸;3.高可靠:由于要承载更高的功率密度,所以功率器件需要耐高温,具有更高的热稳定性,以及对抗过流过压等瞬变的能力;4.低功耗:影响功率器件功耗的因素有很多,以一个功率二极管为例,其功耗主要包括与反向恢复过程相关的开关损耗、与正向压降 VF相关的正向导通损耗,以及反向漏电流带来的反向损耗。

根据Yole预测,预计到 2027 年,SiC 器件市场将从 2021 年的 10 亿美元业务增长到 60 亿美元以上,主要包括新能源汽车、泛新能源市场。

 碳化硅的应用

碳化硅应用-新能源汽车

新能源汽车从400V平台向800V平台跃迁已是业内共识,可使汽车电池在10分钟内充满80%电量,解决“里程焦虑”和“充电焦虑”。SiC逆变器使得电源频率增加,电机转速增加,相同功率下转矩减小,体积减小。800V 架构时代来临,SiC 在高压下较IGBT 性能优势更为明显,损耗降低度更大。SiC 在新能源车主逆变器及 OBC 中渗透率将快速提升。

如今新能源汽车使用碳化硅器件已经蔚然成风:

2018年特斯拉从Moldel 3开始大规模采用SiC功率器件。2019年,保时捷率先量产800V高电压平台电动车Taycan,其最大充电功率可达270kW。2020年,现代集团发布E-GMP平台,搭载400V/800V超高压充电系统,可实现充电5分钟续航100km。2021年,奥迪发布PPE平台的A6e-tron概念车,搭载800V高压电气系统。2021年,比亚迪发布e平台3.0,该平台具备800V高压闪充技术,最高可实现充电5分钟续航150km。2021年,北汽极狐发布极狐aSHi版,具备800V 充电架构,实现10分钟补充196公里续航的电量。2021年10月,小鹏汽车公布首个量产的800V高压SiC平台,充电5分钟最高可补充续航200公里。

碳化硅应用-光伏逆变

预计到2025年时,全球光伏新增装机量有望增加至287GW,2019-2025年间复合增长率为16.40%。其中逆变器市场需求将大幅增长。

SiC MOSFET或SiC MOSFET+SiCSBD模组的光伏逆变器能将转换效率由96%提升至99%以上,能量损耗可降低50%以上,设备循环寿命提升50倍。对于100kW的太阳能逆变器,其平均需要30-50颗SiC器件。二极管与三极管比例在4:1与5:1之间。据CASA预测,2025年光伏逆变器中SiC器件价值占比将增长至50%。

碳化硅应用-储能

2021-2025年电力系统用储能装机需求分别为 117、190、274、367和507GWh,需求年平均增速约为83.34%。2021年储能逆变器(PCS)和能量管理系统(EMS) 价格按照0.8元/W计算,2025年每年价格下降8%,则分别为234、349、463、571、726亿市场空间。其中功率器件占比5%左右,将有11.7亿、17.5亿、23.1亿、28.5亿、36.3亿的市场机会。

碳化硅应用-充电桩

2020年,全球充电桩市场规模达到了1925.32百万美元,预计2027年将达到5923.22百万美元,年复合增长率(CAGR)为16.84%。中国2020年市场规模为1131.52百万美元,预计2027年将达到3247.44百万美元,年复合增长率(CAGR)为15.63%。中国电动汽车充电基础设施促进联盟统计,载至2022年3月,联盟内成员单位总计上报公共类充电桩123.2万台,其中直流充电桩50.2万台。从2021年4月到2022年3月,月均新增公共类充电桩约3.2万台。

随着新能源汽车从400V向800V跃迁,直流充电采用的是高电压大功率充电,电压从1000V向1400V演进,并开始采用SiC MOS模块,功率达到30-40KW。